EDN年度创新奖由EDN创立于美国的Silicon Valley ，迄今为止已经有14年的历史，并已经成为美国微电子领域重要的标志性奖项之一。针对迅速发展的中国微电子工业，EDN China 协同EDN全球团队，并携手中国本土电子行业同行，在2005年下半年正式将这一著名奖项引入中国。

   历经4个月的报名、筛选和工程师的踊跃投票，EDN China首届年度创新奖已于近日揭晓。共有来自43家国内外知名IC厂商的119款产品参与了8类奖项角逐。通过此次评选活动，一批优秀产品在激烈的竞争中脱颖而出，展现了这些产品与生产厂商的实力。

   在这次评选中，美国Ramtron公司推出的FM20L08 一兆位铁电存储器在数字IC与可编程件类别中荣获了创新奖。

   详细情况可参见：http://www.ednchina.com/campaign/innovation_award/innovation.asp

   以下是获奖通知：

                                
10/F, C, Dacheng Plaza, No. 127 Xuanwumen West Street, Xicheng District, Beijing, China
Tel: +86 10 6642 2042   Fax: +86 10 6642 2242

                              EDN China 2005 创新奖获奖通知

                                   
尊敬的先生/女士：

   EDN China非常荣幸的通知您，您成为2005 EDN China创新奖的得主，您的产品位于最佳产品之列。

   这次评选总共有11种产品被授予创新奖，41种产品被授予创新奖最佳产品。

   这次评选中，各种产品的竞争是相当激烈的。共有来自于43个公司的119项符合条件的产品参与了8类产品的奖项角逐。

   这项一年一度的评选将会由EDN China继续主办下去，希望能一如既往的得到您的关注和支持。

   您所获得的荣誉表明您的产品在创新方面是非常成功的，同时也得到了广大中国工程师的高度认可和接受。

    谢谢！

                                                                 Mike Ma

                                                                 市场经理

                                                                 EDN China