http://www.gkong.com 2024-03-19 09:17 来源:半导体前沿
据日经网消息,三菱电机将于4月开始在熊本县菊池市建设新SiC厂房。
三菱电机将投资约1,000亿日元(折合人民币约48.56亿元)来生产具有高节能性能的碳化硅(SiC)功率半导体,该厂房计划于2026年4月投入运营。三菱电机表示,与2022年相比,公司2026年的晶片产能将扩大约5倍。
据介绍,新大楼共六层,总建筑面积约42,000平方米。它具备生产直径为200毫米(8 英寸)的 SiC 晶圆的功率半导体的前端工艺。所有的工序将接入自动输送系统,打造高效率生产线。三菱电机计划根据不断增长的需求逐步提高产能。
在当天举行的奠基仪式上,三菱电机高级执行官、半导体和器件部门总经理Masayoshi Takemi强调:“功率半导体将在实现脱碳社会方面发挥重要作用。作为一家专门生产SiC晶片的新工厂,我们也在考虑节能节水事宜”。
在电动汽车(EV)普及的背景下,三菱电机决定建设新工厂,是为了满足市场对功率半导体日益增长的需求。
值得一提的是,该工厂已经“绑定”了Coherent(前 II-VI )的碳化硅衬底产能——2023年5月,三菱电机与Coherent签署了一份谅解备忘录,Coherent将为三菱电机新工厂供应8英寸n型4H SiC衬底,双方共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。