日本Covalent Materials（原东芝陶瓷）在2007年11月15～16日于东京都内举行的该公司的技术展上展出了直径460mm的单晶硅硅锭。除用作300mm晶圆装置的内部部件外，将来还考虑用于450mm晶圆。

    此次展出的硅锭将用作300mm刻蚀装置的上部电极使用的簇射极板（Shower Plate）以及设置在晶圆载物台上的环状调焦环（Focus Ring）等部材。上述产品该公司均已投产，部件直径达400mm。利用上述材料培育起来的大口径硅锭的生长技术是实现450mm晶圆的重要基础技术。
今后要实现450mm晶圆，还需要进一步减少硅锭内的杂质以及结晶缺陷。该公司计划利用各种模拟技术来优化结晶生长条件以及晶圆的加工研磨条件。半导体业界计划2012～2014年在量产线上使用450mm晶圆，该公司也将为实现这一目标继续推进开发。