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Vishay接近与环境光光学传感器及功率MOSFET获奖

http://www.gkong.com 2011-03-28 10:28 来源:Vishay

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 28 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其VCNL4000接近与环境光光学传感器及SiR880DP ThunderFET® 80 V功率MOSFET荣获EN-Genius Network 颁发的年度产品奖,该网站在为电子设计工程师提供信息来源方面走在业界前列。

  EN-Genius 2010年度产品奖的获奖产品是由EN-Genius主编Paul McGoldrick,以及编辑Lee Goldberg和Alex Mendelsohn从年内公开发布的产品中挑选出来的。

  Vishay的VCNL4000被EN-Genius授予光检测领域的最佳研发奖。该器件完整集成了接近与环境光光学传感器,在业内首次将红外滤波器、光PIN二极管、环境光探测器、信号处理IC和16bit ADC集成进小尺寸的3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm无引线(LLP)表面贴装封装里。节省空间的VCNL4000支持易用的I2C总线通信接口,能够在各种消费和工业应用中大幅简化设计。

  EN-Genius表示:“Vishay将光探测领域的丰富经验应用到这个产品上,对于移动设备的接近检测、显示/键盘对比度控制和调光应用,这款产品在性能和尺寸都堪称完美。产品定价非常合理,在性能表现上也极为出色。”

  Vishay的ThunderFET SiR880DP被EN-Genius评为最佳高压功率MOSFET,该MOSFET在制造过程中采用了一种新的为更高电压MOSFET优化的低导通电阻技术。SiR880DP是首款可在4.5V栅极驱动下导通的80V功率MOSFET,采用热增强型PowerPAK® SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V下,典型导通电阻与栅极电荷乘积为161,该数值是衡量DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM,单位是nC-mΩ)。

  EN-Genius评价:“N沟道SiR880DP的显著特点是兼有高电压等级和4.5V栅极驱动等级,且能提供超低的导通电阻。SiR880DP能在4.5V电压下导通,这样就能用5V PWM IC实现更高频率的转换器,而不需要目前所使用的6V器件。产品定价非常有吸引力,还能让以前的设计在DC-DC转换器中继续发挥余热。”

  Vishay获奖产品的链接如下:

  http://www.vishay.com/docs/83798 (VCNL4000)

  http://www.vishay.com/docs/65702 (SiR880DP)

  VCNL4000和SiR880DP现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期分别为十周和十六周。

  VISHAY简介

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

  PowerPAK®和ThunderFET®是Siliconix incorporated公司的注册商标。

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