电压： 2.5V
CAS 延迟时间 : 3, 4
184pin 脚
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DDR (Double Data Rate) SDRAM 是一种以目前PC100/PC133为基础发展而来的内存技术。不同于SDRAM同步随机存取内存在每个计算机频率周期只能支持一个运作，DDR 可以在每个频率周期执行两个运作。因此，加倍了记亿体的频宽也提高数据的传输量。DDR内存模块比SDRAM能增加更多的效能并且能降低成本之优质产品，而且DDR 内存芯片能用现有的半导体晶圆厂很容易被制造及测试，不用再投资大量资金于设备及生产上。此外，DDR内存不但增加比SDRAM更多的内存频宽及效能也广泛使用在许多商业、多媒体及娱乐相关产品上。
