NVE数字隔离芯片与光耦隔离的区别和优势

１、传输速度：光耦的传输速率上限一般25M，而NVE数字隔离芯片的信号传输速率比光耦要高上很多倍，最高可以达到150Mbps,其中IL600A/IL600系列（工控级）数字隔离芯片波特率为10Mbps/100Mbps，无源电流型输入(驱动电流5mA)，可以更好地替代高端光耦。

２、脉冲失真：NVE数字隔离芯片的传输延迟在15ns以下；脉宽延迟（PWD）在3ns以下； IL700S系列更是在0.3ns以下；传输延迟偏斜在10ns以下。此外，脉冲输出有边沿去抖动功能，抖动控制在50ps以下，相对光耦隔离，数字隔离芯片的信号保真度要强很多倍。

３、封装体积：光耦的封装体积受晶元结构影响相对封装较大，比如单通道6N137是DIP-8，平均体积9.66mm*6.4mm，而NVE数字隔离芯片的晶元由于采用的是巨磁阻材料叠加原理，封装体积非常小，在一个6mm*10mm的体积上，可以做到多达5路的信号隔离通道。值得一提的是NVE数字隔离芯片在两路以下（包含两路）信号隔离时可以做到3mm*5mm的体积（业界最小MSOP8封装）。从这个方面讲数字隔离芯片可以节省75%以上的PCB面积，因此在一些体积要求特别严格的领域，NVE数字隔离芯片有着明显的优势。

４、工作温度范围： NVE数字隔离芯片工控级产品推荐温度是-40°C to +85°C，IL700T系列工作温度-40°C to +125°C，值得提出的是NVE数字隔离芯片随着工作温度的上升，性能基本上没有变化，而光耦随着温度的上升性能将明显降低。

５、工作电压、电流  NVE数字隔离芯片兼容3.3V及5V的工作系统，电流型器件的输入电流只需5MA驱动电流；电压型器件的每通道输入驱动电流只为UA级。

６、功耗和寿命：光耦采用光电隔离，功耗相对较大，且有光衰现象。而NVE数字隔离芯片采用巨磁阻材料叠加原理，功耗非常小，从而保障了器件的工作寿命，在军工级和工业级领域，产品在长寿命、稳定性能这块要求特别苛刻，目前，NVE数字隔离芯片在军工和工控领域已经应用非常广泛，也因此节省很多售后服务和支持的费用。