晶片定位传感器

M-DW1

特点：可检测涂氮晶片！

可检测涂氮晶片

· 激光定位传感器具有危险，由于当从内部负载孔定位时，激光光轴未达到FOUP直接射向操作员。使用LED光源的M-DW1比原先的激光光轴定位传感器更安全。
· 涂氮晶片根据涂层厚度以一定波长吸收光线。如果传感器使用具有单个波长的传感器，光轴可能被完全吸收，导致晶片检测错误。M-DW1使用的LED光源的波长带比较宽，所以可始终成功地检测涂氮晶片。
· 根据反射光线的数量进行的晶片检测可能有时会由于晶片边缘的形状而发生错误。M-DW1在受光部分使用2个分隔的受光二极体，通过反射光线的位置而不是数量检测晶片。因此，传感器受晶片厚度或反射光线数量的影响较小。
晶片定位检测

·中心测量距离：45mm
·电源电压：12～24V DC±10%
·检测物体：3英寸以上半导体晶片
·输出： NPN开路集电极晶体管(最大100mA)或PNP开路集电极晶体管(最大100mA)通过切换开关选择