一、 特性：
● 双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.55Ω
● 最高耐压36VDC，峰值电流2.2A，工作电流1.5A
● 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128）
● 自动半流锁定功能
● 快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选
● 内置温度保护及过流保护
● 内置1通道PWM电流控制步进电机驱动电路
● BiCDMOS工艺IC
● 可选择2、1-2、W1-2、2W1-2、4W1-2、8W1-2、16W1-2、32W1-2相励磁
● 仅需Step信号输入就可以进行Step励磁
● 正反控制均可
● 内置TSD电路
● 内置输入下拉电阻入力
● 附有Reset、Enable端子
二、 管脚图：
三、 管脚说明：
四、 电器参数：
1、 最高额定值Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
2、 正常运行参数范围Operating Range (Ta = 30 to 85°C)
3、 电器特性Electrical Characteristics (Ta = 25°C, VREF = 1.5 V, VM = 24 V)
五、 使用说明
1、细分设定（M1、M2、M3）
2、衰减模式设定
PDT为衰减方式控制端，调节此端电压可以选择不同的衰减方式，从而获得更好的驱动效果。
3、电流设定
VREF电流设定端，调整此端电压即可设定驱动电流值
Io（100%）=VREF*（1/5）*（1/Rs） Rs为NFA(B)外接检测电阻
(例)VREF=1.5V、Rs电阻为0.3Ω时，设定电流为：
Iout = (1.5V／5) ／ 0.3Ω = 1.0A
4、待机功能（Standby）
ST/VCC端子为Low时，IC进入待机模式，所有的逻辑被重置，输出为OFF。ST/VCC端子为High时解除待机模式。
5、CLK脉冲输入端
6、CW/CCW：电机正反转控制端
CW/CCW为Low时，电机正转
CW/CCW为High时，电机反转
7、RESTER：上电复位端
RESET端子为Low时，输出为初始模式。励磁位置不再与CLK、CW/CCW端子关联，而被固定在初始位置。初识位置时，MO端子输出L。(Open Drain连接)
8、ENABLE：使能端
ENABLE端子为Low时，输出强制OFF，为高阻状态。但是，由于内部逻辑电路仍在动作，如果在CLK端子输入信号，励磁位置仍在进行。因此，将ENABLE重新置为High时，根据CLK输入，遵循进行的励磁位置的level输出。
9、DOWN、MO输出端
输出端子为Open Drain连接。各端子在设定状态下ON，输出Low Level。
10、斩波频率设定功能
斩波频率由OSC1端子端子-GND间连接的电容，依据下面的公式设定。
Fcp = 1 ／ (Cosc1 / 10×10-6) (Hz)
（例）Cosc1=100pF时，斩波频率如下。
Fcp = 1 / (100×10-12 / 10×10-6) = 100(kHz)
11、输出短路保护电路
该IC为防止对电源或对地短路导致IC损坏的情况，内置了短路保护电路，使输出置于待机模式。检测出输出短路状态时，短路检出电路动作，一度输出OFF。此后，Timer Latch时间（typ:256uS）之后再度输出ON，如果输出仍然短路的话，将输出固定于待机模式。
由输出短路保护电路动作而使输出固定于待机模式的场合，通过使ST＝“L”可以解除锁定。
12、通电锁定电流切换用Open Drain端子
输出端子为Open Drain连接，从CLK输入的一个上升沿脉冲开始，在由OSC2-GND间连接的电容决定的时间以内，下一个CLK的上升沿脉冲没有输出时切换为ON，输出Low Level。一次ON的Open Drain输出由下一个CLK的上升沿脉冲置为OFF。
保持通电电流切换时间(Tdown)由OSC2端子-GND间连接的电容由如下的公式设定。
Tdown = Cosc2 × 0.4 × 109 (s)
(例)Cosc2=1500pF时，保持通电电流切换时间如下。
Tdown = 1500pF × 0.4 × 109 = 0.6 (s)
六、 参考电路图
七、 封装尺寸Package Dimensions
封装：MFP30KR
