型号：FGL60N100BNTD
种类：绝缘栅（MOSFET）
沟道类型：P沟道
导电方式：增强型
用途：A/宽频带放大
封装外形：CER-DIP/陶瓷直插
材料：SB肖特基势垒栅
开启电压：50（V）
夹断电压：50（V）
跨导：50（μS）
极间电容：50（pF）
低频噪声系数：50（dB）
最大漏极电流：50（mA）
最大耗散功率：50（mW）
特价抛售：
英飞凌/IGBT管系列：
IKW08T120 IKW15T120 IKW20N60T IKW25N120T2 IKW25T120
IKW30N60T IKW40N120T2 IKW40T120 IKW50N60 IKW75N60
仙童/IGBT单管系列：
FGA15N120 FGA25N120 FGL40N120 FGL40N150D FGH60N60 FGL60N100 FGL160N60
HGTG30N60 HGTG40N60 HGTG11N120 SGH80N60 SGH40N60、、、、
整流快恢复系列：
STTH6002 STTH6003 STPS80150 ESAD92-02 MUR1560 FML33S FML4204S
RHRG30120 RHRG3060 RHRG75120 80CPQ150 40CPQ100 63CPQ100 DSEI60-06A
MOS管：
IRFZ24N IRF9Z24N IRF9Z34N IRFP460 2SK3878 2SK4108 2SK4107 2SK2837 2SK2698
FMH23N50E FMH11N90E FQA11N90C FQA9N90C
部分常用IC：
LM324、LM339、LM358、LM393、LM353、CD4000系列
SG3525、UC3843、UC3845、UC3846、UC3875、TL494 KA7500
