<h1>台州dc/dc电源模块</h1>
低压输出：例如现代微处理器的VRM电压将为1.1-1.8V，便携式电子设备的DC-DC变换器输出电压为1.2V，特点是负载变化大，多数情况下工作低于备用模式，长期轻载运行。要求DC-DC变换器具有如下特征：a)负载变化的整个范围内效率高。b)输出电压低(CMOS电路的损耗与电压的平方成正比，供电电压低，则电路损耗小)。c)功率密度高。这种模块采用集成芯片的封装形式。
模块电源工艺发展方向
降低热阻，改善散热——为改善散热和提高功率密度，中大功率模块电源大都采用多块印制板叠合封装技术，控制电路采用普通印制板置于顶层，而功率电路采用导热性能优良的板材置于底层。早期的中大功率模块电源采用陶瓷基板改善散热，这种技术为适应大功率的需要，发展成为直接键合铜技术(Direct Copper Bond，DCB)，但因为陶瓷基板易碎，在基板上安装散热器困难，功率等级不能做得很大。后来这一技术发展为用绝缘金属基板(Insutalted Mental Substrate，IMS)直接蚀刻线路。最为常见的基板为铝基板，它在铝散热板上直接敷绝缘聚合物，再在聚合物上敷铜，经蚀刻后，功率器件直接焊接在铜上。为了避免直接在IMS上贴片造成热失配，还可以直接采用铝板作为衬底，控制电路和功率器件分别焊于多层(大于四层，做变压器绕阻)FR-4印制板上，然后把焊有功率器件的一面通过导热胶粘接在已成型的铝板上固定封装。不少模块电源为了更利于导热、防潮、抗震，进行了压缩密封。最常用的密封材料是硅树脂，但也有采用聚氨酯橡胶或环氧树脂材料。后两种方式绝缘性能好，机械强度高，导热性能好，成为近年来模块电源的发展趋势之一，是提高模块功率密度的关键技术。
二次集成和封装技术——为提高功率密度，近年开发的模块电源无一例外采用表面贴装技术。由于模块电源的发热量严重，采用表面贴装技术一定要注意贴片器件和基板之间的热匹配，为了简化这些问题，最近出现了MLP(Multilayer Polymer)片状电容，它的温度膨胀系数和铜、环氧树脂填充剂以及FR4 PCB板都很接近，不易出现象钽电容和磁片电容那样因温度变化过快而引起电容失效的问题。另外为进一步减小体积，二次集成技术发展也很快，它是直接购置裸芯片，经组装成功能模块后封装，焊接于印制板上，然后键合。这一方式功率密度更高，寄生参数更小，因为采用相同材料的基片，不同器件的热匹配更好，提高了模块电源的抗冷热冲击能力。李泽元教授领导的CPES在工艺上正在研究IPEM(IntegratedPower Electronics Module)，它是一种三维的封装结构，主要针对功率电路，取代线键合技术。
此外，生产商也为驱动器芯片另外加设可设定死区时间 (TRT) 的功能，以增强自适应转换定时的准确性。办法是在可设定死区时间引脚与接地之间加设一个可用以设定死区时间的电阻，以确定高低端转换过程中的死区时间。这个死区时间设定功能加上传播延迟可将处于转换过程中的互补性 MOSFET 关闭，以免同步降压转换器出现击穿情况。
任何模块电源都必须在早期阶段通过严格的测试，以确保设计完善可靠，以免在生产过程中的最后阶段才出现意想不到的问题。有关模块必须可以在客户的系统之中进行测试，以确保所有有可能导致系统出现故障的相关因素，例如散热扇故障、散热扇间歇性停顿等问题都能给予充分的考虑。采用分散式结构的工程师都希望所设计的系统可以连续使用很多年而很少或甚至不会出现故障。由于测试数字显示电源模块的 MTBF 高达几百万小时，要达到这个目标并不怎样困难。
