FH413A05三轴加速度传感器说明书 MEMS三轴加速度传感器
一、简介
FH413A05 三轴加速度传感器由我公司自行研制，用于测量加速度的传感器。它采用低功耗、高精度、低噪声MEMS芯片，具有 BIMOS 信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有低功耗、高可靠性和高封装坚固性，并具自检测（Self-Test）等功能，可实现自检测。
本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、 倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。
二、原理
FH413A05三轴加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面 MEMS 多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克 服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块 相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结 构的偏转，从而产生电压输出信号。
三、技术条件
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性能
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FH413A性能
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Ax ，Ay ，Az
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测量范围（ g）
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±2
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±4
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±5
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± 10
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±20
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±40
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灵敏度（mV/g）
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1000±50
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500±50
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400±30
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200±20
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100±10
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50±5
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带宽（10%，Hz）
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0～500
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零 g 偏置电压（V）
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2.5±0.05
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满量程输出（V）
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0.5-4.5
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零偏温度变化（mg/ °C）
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±0.2~ ±0.8
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交叉轴影响（%）
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≤2
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非线性度(％F.S)
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≤0.1
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噪声密度（ug/ √Hz）
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20~80
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供电要求
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供电电压(VDC)
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12±0.5
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输入电流（mA）
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≤20
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工作环境
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