稳压管，又叫齐纳二极管，是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压二极管又叫齐纳二极管，利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个的组曲中，电流增加，而电压则保持恒定。稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来，以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。反向击穿二极管是正向导通的，二极管两端加反向电压时，电子不能通过二极管，使得二极管相当于断路，但是这个断路取决于把二极管反向结实二极管两端的电压，如果这个反向电压足够大，二极管就被击穿了。此时这个击穿的反向电压就叫反向击穿电压。二极管反向击穿电压的理性定义外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿，引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时，二极管失去单向导电性。稳定电压，当稳压管通过认定电流时，稳压管产生的稳定电压数值由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致，误差在正负0.5服以内。耗散功率，反向电流通过稳压二极管的PN结时，就会产生一定的功率损耗，PN结的温度也会随之升高，根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦，最大耗散功率PCM。侍卫压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时，PN结的功率损耗。PC等于VCS，由PCM和VC可以决定IMAX稳定电流，稳压管工作时电压等于额定电压时的反向电流，这个电流是存在最大值和最小值的动态电阻。稳压二极管的动态电阻是从他的反向特性上求取的。耳机愈小，反应稳压管的击穿特性愈陡。耳机等于CC温度技术，CCTV温度的变化将使VC改变。在稳压管中，当VC7服食VC具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿，当VC字符时的具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。当四伏危机浮石温压灌可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。如果稳压管的CCTV是加0.05%，每集温度每升高一摄氏度，气温呀直降升高0.05%，雪崩击穿在晶体中运行的电子。将不断地与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子和空穴。新产生的自由电子在电场作用下撞出其他家店子，又产生新的自由电子和空穴。如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式的增加，流过PN结的电流就急剧增大。击穿PN结，这种碰撞电离导致击穿，称为雪崩击穿，也称为电子雪崩现象。齐纳击穿，当PN结的掺杂浓度很高时，阻挡层就十分薄，这种阻挡层特别薄的PN结，只要加上不大的反向电压，阻挡层内部的电场强度就可达到非常高的数值。这种很强的电场强度可以把阻挡层内中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，变为自由电子，同时产生空穴，这个过程称为厂制激发油。厂制激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流。曾呈现反向击穿现象，这种击穿通常称为齐纳击穿，漏电留任只稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用，把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管。