mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain可以对调，它们都是在P型backgate中形成的N型区。大多数情况下，这两个区域是一样的，即使两端对调，也不会影响设备的性能。这种设备被认为是对称的。

双极晶体管放大输入端电流的微小变化后，在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出输入电流的比率。另一种晶体管，称为场效应管，将输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于其transconductance，定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。市场上常见的是N通道和P通道。详见右图(N通道耗尽MOS管)。低压MOS管是P通道中常见的。

场效应管通过在绝缘层上投影一个电场来影响流过晶体管的电流。事实上，没有电流流过绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。常见的FET使用薄层二氧化硅作为GATE极下的绝缘体。该晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。由于MOS管更小，更省电，它们在许多应用程序中取代了双极晶体管。

mos管优势。

1.可用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，耦合电容器容量小，无需使用电解电容器。

2.高输入阻抗非常适合作为阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作为阻抗变换。

3.可用作可变电阻。

4.可方便地用作恒流源。

5.可用作电子开关。

6.在电路设计中具有很大的灵活性。格栅偏压可正负零，三极管只能在正偏下工作，电子管只能在负偏下工作。此外，输入阻抗高，可减轻信号源负载，易于与前级匹配。