半导体热特性热阻抗测试仪平替T3Ster_Phase11-热阻测试热特性测试热阻抗测试-

半导体热特性热阻抗测试仪系统_陕西天士立科技研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准，用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出

ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

超高精度：温度(T;)分辨率0.01℃℃，1MHz变频采样:

技术领先：第三代瞬态热测试技术，可输出结构函数进行热结构分析

行业领先：具备4路高速高精度采集模块，采样速度，精度均达到行业顶尖水平

架构领先：采用B/S架构控制系统、可远程对设备进行状态监控和控制，实现智能化;

瞬态监测：连续采集加热和冷却区的结温变化，同步采集温度监控点数据;

NPS技术：同步采集温度监控点(NTC/PTC)和结温数据，形成数据关系矩阵。

器件结壳热阻测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

散热结构分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

Die-Attach热阻测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

DBC/AMB基本热特性测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

界面热阻测量与分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

PCB板级散热结构分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

散热器性能测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

TIM材料热导率测试ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

热缺陷检测ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统

	产品品牌	天士立
	产品型号	ST-HeatX
	产品名称	半导体热特性测试系统
	主要功能	适用于多种类型功率器件及其模组的瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出
	试验对象	DIODE、MOSFET、IGBT/IGCT、HEMT、GTO、IC
	试验标准	符合JESD51-1、JESD51-14、IEC 60747-8、IEC 60747-9、IEC 60747-15、IEC 60749-23、IEC 60749-34、AEC-Q101、AQG 324等相关标准要求
	试验模式	DIODE模式 SAT模式 IGBT模式 RDSON模式 HEMT模式
	门控电源	数量 4 输出方式隔离输出输出范围 -10V ~ 20V 输出误差 ≤0.1V + 0.5%set 分辨率 0.01V
	NTC/PTC 数据同步采集	NTC测量范围 250kΩ 〜 100Ω PTC测量范围 100Ω 〜 250kΩ 最高采样频率 1MHZ 同步时间误差 ≤1μs
	栅极漏电测量	量程分辨率1nA ~ 850nA@0.01nA 量程分辨率850nA ~ 1mA@0.01uA
	加热电源	量程 30A / 10V 电流输出误差 ≤0.05A + 0.1%set 电流设定分辨率 0.01A 开关速度1μs
	测温电流源（主）	量程 ±0.1A ~ ±1A / 10V 分辨率 1mA 误差 ≤2mA + 0.5%set
	测温电流源（辅）	量程 0 ~ 100mA / 10V 分辨率 0.01mA 误差 0~10mA ≤50μA + 0.5%set 误差 10 ~ 100mA ≤0.5mA + 0.5%set
	测量通道	数量 4 动态电压测量范围 ±5V(差分模式) 动态电压测量误差 ≤1mV + 0.5%set 动态电压量程 100mV、200mV、400mV、800mV 动态电压分辨率 1.6μV 采样频率最高1MHz 采样模式连续变频采样