1. 核心设计目标与挑战
陶瓷基板COB载具主要用于芯片贴装(Die Bonding - 共晶/银烧结)、引线键合(Wire Bonding)、光学检测和老化测试等关键制程。
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超高温稳定性:共晶焊接或银烧结工艺温度远高于普通SMT,通常在250°C - 350°C之间。载具材料必须在此温度下长期工作而不变形、不退化、不释放污染物。
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的热管理:既要能在高温工艺中快速升温(热容量小),又要能在测试中高效散热(导热性好),设计矛盾突出。
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超高精度与平整度:陶瓷基板本身非常平整,载具的平整度必须更高,以确保芯片焊接和键合的均匀性,精度常要求在±5μm以内。
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化学惰性与超高洁净度:载具不能与助焊剂、烧结膏等发生任何反应,不能释放任何可能污染焊点或芯片表面的气体和颗粒。
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抗热震性(Thermal Shock Resistance):必须能承受反复的急剧升温和冷却。
2. 关键设计要素与技术方案
2.1 材料选择:耐高温是首要前提
普通铝合金和工程塑料在此完全失效。可选材料梯队如下:
材料 |
使用温度 |
特点与应用建议 |
石墨(Graphite) |
>500°C(真空/惰性气体) |
选择之一。***的热稳定性、高导热、低热容、CTE小。但在空气中易氧化,需在氮气氛围或真空环境下使用。 |
碳化硅(SiC) |
>1600°C |
性能之选。硬度高、导热性好(~270 W/m·K)、化学性质***稳定。但成本极高、加工难度***。 |
殷钢(Invar) |
~400°C |
CTE极低(~1.6×10??/°C),可确保与陶瓷基板在热胀冷缩时同步,避免应力。但重量大、成本高。 |
钛合金(如TC4) |
~500°C |
强度高、重量轻、耐腐蚀。导热性较差(~7 W/m·K),适合作为结构件而非直接接触热源。 |
高温合金(如因康镍合金Inconel) |
~1000°C |
高温强度极好,但重量大、成本高、加工难,通常用于***环境。 |
结论:对于大多数高温COB工艺,【高纯度等静压石墨】是性价比和性能综合的选择。
2.2 真空吸附系统
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精细真空孔设计:使用激光钻孔加工出微米级的吸附孔阵列。孔位需避开基板下方的敏感电路和焊盘。
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多区域独立控制:将真空区域划分为多个小型独立单元,允许同时放置不同尺寸的陶瓷基板,提高设备利用率。
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高温密封:在真空槽内嵌入高温硅胶条或石墨箔作为密封材料,替代常温下的橡胶密封圈。
2.3 精准定位与对位
2.4 热管理策略
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对于封装工艺(如共晶焊):
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对于测试工艺(老化测试):
2.5 表面处理与洁净度
3. 典型应用场景工作流程(以共晶焊为例)
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准备:在氮气保护环境中,将涂有共晶焊料的陶瓷基板通过真空吸附固定在石墨载具上。
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放置:通过精密陶瓷定位销和机器视觉,将LED芯片***放置在每个焊盘上。
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工艺:将整个载具传送至共晶焊炉(回流炉或真空共晶炉)中。
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加热:在氮气或真空氛围下,按工艺曲线加热至共晶温度(如280°C)以上,焊料熔化形成合金,实现芯片与基板的牢固连接。
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冷却:完成后冷却至室温。
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转移:将完成固晶的基板从载具上取下,进入下一道键合工序。
4. 总结:陶瓷基板载具的特殊性
陶瓷基板COB载具是材料科学和精密工程在***条件下的体现。
特性 |
普通金属基板COB载具 |
陶瓷基板COB载具 |
工作温度 |
室温 ~ 150°C |
250°C ~ 350°C+ |
核心材料 |
铝合金 |
高纯度石墨、碳化硅、殷钢 |
工作环境 |
空气 |
氮气(N?)、真空(Vacuum)、甲酸气体 |
精度要求 |
±10-25μm |
±1-5μm |
洁净度 |
高 |
超高(半导体级) |
结论:
这类载具的设计和制造门槛极高,其选择严重依赖于具体的封装工艺和氛围要求。石墨载具是高温、高精度应用的主流选择,但必须注意其使用的大气环境。通常需要与专业的高温治具供应商合作,他们不仅提供产品,更能提供整套的工艺氛围解决方案。热仿真(FEA) 和气流仿真(CFD) 对于设计其加热和冷却过程至关重要。

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