英飞凌IGBT开关模块FF300R12KT3_E技术参数

T4芯片是英飞凌第四代IGBT芯片，它是针对中小功率高频应用场合而优化的。它位于图的左下角，相对于其他芯片它具有极低的饱和压降，开关损耗也相对较小，开关速度也比较快，适合高频软开关应用，在软开关逆变焊机20KHz开关频率下具有最小的总损耗。另外它最高允许工作结温达到150℃，比DN2和KS4提高了25℃，可以大幅提高温度安全裕量，是目前最适合软开关逆变焊机应用的IGBT芯片，可在软开关逆变焊机中应用的采用T4芯片的IGBT模块型号有FF100R12MT4,FF150R12MT4,FF200R12MT4, FF200R12KT4,   FF300R12KT4等。
    DN2芯片是在逆变焊机中使用比较广泛的一款IGBT芯片，这款芯片开发得比较早，从图5可以发现，DN2芯片位于图的右上角，相对于其他一些后续的芯片，它具有比较高的开关损耗和饱和压降，在20KHz的开关频率下，它的总损耗相对较大。KS4芯片是一款速度很快的IGBT芯片，它位于图的右下角，相对于其他芯片，它的饱和压降高，但它具有最小的开关损耗，在20KHz以上高频应用领域具有较大的优势，非常适合高频应用。
                                             

应用范围：应用UPS、开关电源、变频器、逆变器、电动车辆、充电机、感应加热、轨道交通、电焊机以及新兴的风力发电、太阳能光伏发电、电动车等新能源行业等领域。

3. 级联式SVG的IGBT选型

    级联式SVG中，不同电压的SVG可以使用不同数量的功率单元进行串联，例如3KV使用4个1700V的功率单元串联，6KV使用8个1700V的功率单元串联，10KV使用12个1700V的功率单元串联。而不同功率等级的SVG可以使用不同型号的IGBT模块。如何根据功率等级去选取IGBT模块？第一步,根据经验对模块进行初步的选择，对10KV级联式SVG的模块的选型可以参考下表，