中国上海，2025年5月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。

四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备中的功率损耗。

未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω

续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。（截至2025年5月，东芝对比结果）

图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较

应用：

-服务器、数据中心、通信设备等的开关电源

-电动汽车充电站

-光伏逆变器

-不间断电源

特性：

-DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗

-东芝第3代SiC MOSFET

-通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性

-低漏源导通电阻×栅漏电荷

-低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）